Cleachdadh Mosfet, IGBT agus triode falamh ann an inneal teasachaidh inntrigidh gnìomhachais (fùirneis)

Nuadh-aimsireil Cumhachd Teasachaidh Inntrigidh Tha teicneòlas solair cumhachd gu ìre mhòr an urra ri trì seòrsaichean innealan cumhachd bunaiteach: MOSFET, IGBT agus triode falamh, agus tha pàirt do-sheachanta aig gach fear dhiubh ann an suidheachaidhean tagraidh sònraichte. Tha MOSFET air a bhith mar a’ chiad roghainn ann an raon teasachadh mionaideach air sgàth a fheartan àrd-tricead sàr-mhath (100kHz-1MHz), agus tha e gu sònraichte freagarrach airson suidheachaidhean cumhachd ìosal agus àrd-chruinneas leithid leaghadh seudaireachd agus tàthadh phàirtean dealanach. Nam measg, tha SiC / GaN MOSFET air an èifeachdas a mheudachadh gu còrr air 90%, ach tha a chrìoch cumhachd (mar as trice

Ann an raon tricead meadhanach agus cumhachd àrd (1kHz-100kHz), tha IGBT air buannachd farpaiseach làidir a nochdadh. Mar phrìomh inneal àmhainnean leaghaidh gnìomhachais agus meatailt Làimhseachadh teas loidhnichean cinneasachaidh, faodaidh modalan IGBT toradh cumhachd ìre MW a choileanadh gu furasta. Tha an teicneòlas aibidh agus an èifeachdas cosgais sàr-mhath aige ga dhèanamh na roghainn àbhaisteach airson stuthan leithid stàilinn agus aloidhean alùmanum a phròiseasadh. Le toirt a-steach teicneòlas SiC, tha tricead obrachaidh a’ ghinealaich ùir de IGBT air a dhol thairis air 50kHz, a’ daingneachadh a cheannas margaidh anns a’ chòmhlan meadhan-tricead.

Ann an suidheachaidhean fìor àrd-tricead agus cumhachd àrd (1MHz-30MHz), tha triodan falamh fhathast a’ cumail suidheachadh daingeann. Ge bith an e leaghadh meatailt sònraichte, gineadh plasma, no uidheamachd tar-chuir craolaidh a th’ ann, faodaidh triodan falamh toradh cumhachd seasmhach aig ìre MW a thoirt seachad. Tha an aghaidh àrd-bholtaids sònraichte agus an ailtireachd dràibhidh sìmplidh ga dhèanamh na roghainn air leth freagarrach airson meatailtean gnìomhach leithid titanium agus zirconium a phròiseasadh, a dh’ aindeoin cho èifeachdach ‘s a tha e (50%-70%) agus cosgaisean àrda cumail suas.

Tha an leasachadh teicneòlach làithreach a’ sealltainn gluasad soilleir de cho-chruinneachadh: tha MOSFET a’ leantainn air adhart a’ dol a-steach do na raointean àrd-tricead agus àrd-chumhachd tro theicneòlas SiC / GaN; tha IGBT a’ leantainn air adhart a’ leudachadh a’ chòmhlain tricead obrach tro ùr-ghnàthachadh stuthan; agus tha tiùban falamh a’ fulang cuideam farpaiseach bho innealan staid chruaidh fhad ‘s a tha iad a’ cumail suas na buannachdan tricead ultra-àrd aca. Tha an mean-fhàs teicneòlach seo ag ath-chumadh cruth-tìre gnìomhachais solar cumhachd teasachaidh inntrigidh.

Ann an taghadh fhèin, feumaidh innleadairean beachdachadh gu coileanta air na trì prìomh nithean: tricead, cumhachd agus eaconamaidh: is fheàrr MOSFET airson tricead àrd agus cumhachd ìosal, is fheàrr IGBT airson tricead meadhanach agus cumhachd àrd, agus tha feum fhathast air triodan falamh airson tricead fìor àrd agus cumhachd àrd. Le adhartas teicneòlas leth-chonnsachaidh beàrn-chòmhlain farsaing, dh’ fhaodadh an ìre taghaidh seo atharrachadh, ach san àm ri teachd, cumaidh na trì seòrsaichean innealan orra a’ cluich pàirt chudromach anns na raointean buannachd aca fhèin, agus còmhla a’ brosnachadh leasachadh teicneòlas teasachaidh inntrigidh a dh’ionnsaigh stiùireadh nas èifeachdaiche agus nas mionaidiche.